半导体研究处| | | |

【存储器】新世代相变内存pcram的概述-凯发登录首页

来源:       

pcram的概念

相变内存(pcram)的英文是“phase change random access memory”,简称“pcm”,是一种非易失性的内存。相变内存是新世代内存(闪存)技术,国内外多家厂商都纷纷对此项技术进行开发。

三星

英特尔意法半导体合作(intelnumonyx共同研发)

日立瑞萨(renesas合作

旺宏与 ibm合作ibm和英飞凌、美光合作

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

目前pcram技术合作及研究成果的厂商(机构)列表

pcram的优点

组件特性方面,pcram融合了dram内存的高速存取及flash闪存在关闭电源后保留数据的特性,被视为未来内存闪存的替代品。

制程方面,pcram属于后段制程,容易与cmos逻辑制程整合,不受组件微小化的规范,可以跨越制程可缩性的鸿沟,对于soc与独立内存(standalone)都有优异的发展空间。

应用方面,pcram可重复写入10万次以上,读写速度可达到现有闪存的1000倍,写入电压小于2v,读取电压小于1v,不需要复杂且高成本的升压电路设计,具有低耗电和低电压操作的特点,完全满足可携式电子产品的设计要求。

pcram的工作原理

pcram主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储。与dramflash的使用电子进行数据的记录与抹除不一样,pcram使用可逆相变材料作为全新的记忆晶胞架构,通过调整电流的大小与脉冲宽度,改变材料的结晶状态,达成记录或抹除数据的功能。

pcram操作方式图